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成都天成电科申请高零深相控阵天线单元专利，增加相控阵天线单元的零深
金融界2025年4月26日消息，国家知识产权局信息显示，成都天成电科科技有限公司申请一项名为“一种高零深相控阵天线单元”的专利，公开号CN119864637A，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本申请涉及一种高零深相控阵天线单元，包括：第一介质基板、第二介质基板、第三介质基板、第四介质基板、DSPSL 功分器网络和调谐辐射单元。调谐辐射单元采用双层调谐辐射单元的结构，且每层调谐辐射单元的四个侧边的中间部分均开设有凹槽，并在凹槽位置采用多个调谐馈电柱子进行馈电，从而实现单元空间场和相位的平衡效应，削弱相互间的叠加，增加相控阵天线单元的零深。馈电网络采用 DSPSL 功分器网络，保证其对角馈电在超宽带范围内的 180°相位差和幅度差；DSPSL 功分器网络内部采用蝶形、扇形等左右对称的缝隙，可以调整非功分端的阻抗匹配，以及天线单元内部的场矢量方向。
天眼查资料显示，成都天成电科科技有限公司，成立于2010年，位于成都市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本672.789万人民币。通过天眼查大数据分析，成都天成电科科技有限公司参与招投标项目20次，专利信息90条，此外企业还拥有行政许可1个。
本文源自：金融界
作者：情报员/阅读下一篇/返回网易首页下载网易新闻客户端
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快照生成时间：2025-04-26 20:45:03
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