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近日,一位网友在国内论坛上公布了一些关于英伟达RTX5090显卡的规格信息。据这位网友透露,RTX5090显卡的CUDA核心数量将增加50%,显存带宽提升52%,缓存提升78%,频率提升15%,最终规格比RTX4090高出70%。根据计算结果,RTX5090显卡的CUDA核心数量将达到24567个,显存带宽将达到1532GB/s,L2缓存为128MB,时钟频率预计超过3.0GHz。据了解,下一代英伟达旗舰显卡RTX5090将采用台积电的3nm工艺,并有望在明年年底推出。另外,RTX5090显卡的代号为Blackwell,其晶体管数量将超过150亿,密度接近3亿/mm?,核心时钟将超过3GHz,总线密度将达到512bits。如果这些消息属实,RTX5090显卡将成为一款非常强大的产品。CUDA核心数量的增加、显存带宽的提升以及其他规格的提升,将使得RTX5090在处理图形和计算任务时更加高效和流畅。而采用台积电的3nm工艺也是一大亮点。随着制程工艺的不断进步,芯片的性能和功耗比将得到进一步的提升。
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快照生成时间:2023-09-23 00:45:01
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