中微公司等离子体刻蚀技术再获重大突破，引领行业迈向新高度

近日，中微半导体设备（上海）股份有限公司（股票代码：688012.SH，以下简称“中微公司”）传出振奋人心的消息。通过持续提升反应台之间气体控制精度，其旗下ICP双反应台刻蚀机PrimoTwin-Star®实现新突破，反应台之间刻蚀精度达到0.2A（亚埃级）。这一精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜刻蚀工艺中均得到验证。0.2A精度约为硅原子直径2.5埃的十分之一，更是人类头发丝平均直径100微米的500万分之一（见图1）。这一成果堪称等离子体刻蚀技术领域的重大创新，不仅凸显了中微公司深厚的技术研发底蕴，更巩固了其在高端微观加工设备市场的领先地位。

在200片硅片重复性测试中，氧化硅、氮化硅和多晶硅测试晶圆在左右两个反应台上各100片的平均刻蚀速度差异分别为每分钟0.9埃、1.5埃和1.0埃。两个反应台之间平均刻蚀速度差别（≤0.09%），远远小于一个反应台加工多片晶圆刻蚀速度的差别（≤0.9%）（见图2）。自2004年创立以来，中微公司始终秉持为实现设备最高性能、满足客户最严苛要求而研发的理念，致力于为客户提供具备高刻蚀性能、高生产效率且节省生产空间的刻蚀设备。2006年，公司研发的第一代双反应台电容耦合CCP刻蚀设备PrimoD-RIE®在国际先进逻辑客户产线上成功通过核准，并收获重复订单，赢得客户长久信任与支持。CCP的双台机PrimoD-RIE®和PrimoAD-RIE®的加工精度、两个反应台的刻蚀重复性以及在生产线上的重复性，早已达到与PrimoTwin-Star®相同水准。

在两个反应台各轮流加工1000片的重复性测试里，两个反应台平均刻蚀速度相差仅每分钟9埃，小于1.0纳米（见图3）。在海外先进存储器生产线上，全年加工12万片晶圆的全过程中，两个反应台在两个刻蚀应用上刻蚀速度的差别1sigma小于0.7％（见图4）。截至目前，PrimoD-RIE®及其下一代产品PrimoAD-RIE®在逻辑客户产线上的量产反应台已超2000台，近600个反应台在国际最先进逻辑产线上实现量产，其中相当一部分机台已在5纳米及更先进生产线上投入量产。

中微公司首创单反应台可分别独立操作或同时操作的双反应台刻蚀反应器，打造出占地面积小、输出量高且成本低的刻蚀机。CCP和ICP双台机已证明可覆盖60％以上的刻蚀应用场景。大量生产线数据显示，双反应台和单反应台刻蚀机在刻蚀性能、刻蚀稳定性和可靠性方面表现一致。凭借行业首创的可独立工作的刻蚀设备双台机技术，历经20多年技术创新与经验沉淀，中微公司研发的电感耦合ICP刻蚀设备PrimoTwin-Star®首次实现0.2A这一业界首创的刻蚀精度。该产品采用独创的低电容耦合LCC3D线圈设计、双反应台腔体结构，并结合创新反应腔设计，能最大程度减弱非中心对称抽气口效应。可选多区温控静电吸盘（ESC）强化了对关键尺寸均匀性的控制。与其他同类设备相比，具有低成本、占地小、高产出等显著优势，适用于大多数先进逻辑和存储器刻蚀制程（见图5）。业绩快报显示，2024年中微公司营业收入约90.65亿元，相比2023年增加约28.02亿元。公司在过去13年保持营业收入年均增长大于35%，近四年营业收入年均增长大于40%的良好态势下，2024年营业收入同比增长约44.73%。其中，刻蚀设备收入约72.77亿元，在最近四年收入年均增长超50%的基础上，2024年又同比增长约54.73%。中微公司综合竞争优势持续增强，聚焦提升劳动生产率，在2022年人均销售达350万元的基础上，2024年人均销售突破400万元，各项营运指标已达到国际先进半导体设备企业水平。

此外，中微公司不断加大创新研发投入。2024年，其在研项目广泛覆盖六大类设备，积极推进超二十款新型设备研发工作。在半导体薄膜沉积设备领域，公司接连取得突破，推出多款LPCVD薄膜设备和ALD薄膜设备新产品，并获得重复性订单。新开发的硅和锗硅外延EPI设备等多款新产品，也将在近期投入市场验证。

未来，中微公司将继续瞄准世界科技前沿，把产品开发的十大原则贯穿于产品开发、设计和制造全过程，全力打造更多具有国际竞争力的技术创新与差异化产品。公司将持续践行“五个十大”企业文化，坚持三维发展战略，实现高速、稳定、健康、安全的高质量发展，向着在规模和竞争力上尽早成为国际一流半导体设备公司的目标稳步迈进。编辑分享中微公司的刻蚀技术优势体现在哪些方面？中微公司的刻蚀技术可以应用在哪些领域？中微公司的竞争对手有哪些？