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横店集团东磁申请隧穿氧化层制备专利，使隧穿氧化层的厚度均匀化
金融界2025年4月8日消息，国家知识产权局信息显示，横店集团东磁股份有限公司申请一项名为“隧穿氧化层的制备方法、TOPCon电池及制备方法”的专利，公开号 CN 119767829 A，申请日期为2023年9月。
专利摘要显示，本发明涉及一种隧穿氧化层的制备方法、TOPCon电池及制备方法。上述隧穿氧化层的制备方法采用常压氧化生长二氧化硅，先在一定温度、气压的条件下通入氧气进行初步生长，再在维持温度、气压的条件下停止通入氧气，进行闷管工艺，减少管内气体流速不稳定导致二氧化硅生长不均匀的情况，使二氧化硅在更加静态的环境中继续生长一段时间，能够使得隧穿氧化层的厚度均匀化。步骤S2和步骤S3中工艺温度均维持在600℃‑620℃，有利于隧穿氧化层的稳定生长，避免工艺温度波动较大而使得隧穿氧化层的生长速率发生变化，避免由此导致的隧穿氧化层的厚度均匀性降低。
天眼查资料显示，横店集团东磁股份有限公司，成立于1999年，位于金华市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本162671.2074万人民币，实缴资本162671.2074万人民币。通过天眼查大数据分析，横店集团东磁股份有限公司共对外投资了37家企业，参与招投标项目3263次，财产线索方面有商标信息215条，专利信息2465条，此外企业还拥有行政许可78个。
本文源自：金融界
作者：情报员/阅读下一篇/返回网易首页下载网易新闻客户端
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快照生成时间：2025-04-08 17:45:05
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