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深圳市拓锋半导体科技取得半导体集成MOS管专利，可提高散热效率
类别：财经 发布时间：2024-12-20 12:11:00 来源：瘦子财经
金融界2024年12月20日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市拓锋半导体科技有限公司取得一项名为“一种半导体集成MOS管”的专利，授权公告号CN 222168388 U，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本实用新型公开了一种半导体集成MOS管，涉及MOS管技术领域。包括塑封壳体与U形金属罩，塑封壳体的右端设有转轴，U形金属罩的左端设有腰型孔，且通过腰型孔和转轴铰接于塑封壳体上，塑封壳体的内底部安装有L形导热片。该半导体集成MOS管，通过设置的U形金属罩，可将MOS管的引脚包裹起来，从而增加对引脚的防护功能，使MOS管在搬运或运输的过程中，引脚不易遭到碰撞而变形损坏，同时在安装MOS管时，只需将U形金属罩翻折到引脚的相反方向，然后使U形金属罩紧贴于露在外面的L形导热片上，即可通过L形导热片和U形金属罩的配合，充分利用较大的热容量与表面积，提高散热效率，有利于MOS管的使用。
本文源自：金融界
作者：情报员/阅读下一篇/返回网易首页下载网易新闻客户端
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快照生成时间：2024-12-20 14:45:11
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