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238 层 4D NAND 闪存量产，国产手机或率先使用，传输速度每秒 2.4Gb
类别：科技 发布时间：2023-06-08 11:00:00 来源：中关村在线
2023-06-08 09:52:48 作者：肖瘦人
6 月 8 日消息，SK 海力士 8 日宣布，已开始量产 238 层 4D NAND 闪存，并正在与生产智能手机的海外客户公司进行产品验证。
SK 海力士总部位于韩国，这里指的“智能手机海外客户”非常有可能是中国国产手机厂商，这意味着国产手机将率先用上 238 层 4D NAND 闪存。
238 层 NAND 闪存是目前世界上最小体积的芯片，生产效率比上一代的 176 层提升了 34%，数据传输速度为每秒 2.4Gb(千兆比特)，比上一代的速度快 50%。并且也改善了约 20% 的读写性能。
SK 海力士称，238 层 NAND 闪存可将为采用该产品的智能手机和 PC 提供更高的性能。
SK 海力士计划在完成智能手机客户公司的验证后，首先向移动端产品供应 238 层 NAND 闪存，随后将其适用范围扩大到基于 PCIe 5.0 的 PC 固态硬盘（SSD）和数据中心级高容量固态硬盘产品等。 返回搜狐，查看更多
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快照生成时间：2023-06-08 11:45:14
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