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隆基超导申请硅单晶生长用鞍形永磁场装置专利，提高圆周范围内磁场强度均匀度
金融界2025年3月27日消息，国家知识产权局信息显示，隆基超导（无锡）智能技术有限公司申请一项名为“一种硅单晶生长用鞍形永磁场装置”的专利，公开号 CN 119685936 A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明提供了一种硅单晶生长用鞍形永磁场装置，其属于属于半导体制造技术领域，其包括鞍形单晶永磁体、行走机构、升降机构和支架，其中鞍形单晶永磁体由左右轭板、左右鞍形磁极、左右顶丝和导磁板组成；本发明单晶永磁体磁极为鞍形结构，大大提高了圆周范围内磁场强度均匀度，更有利于提高单晶电阻率及杂质的均匀性，升降机构可以整体将磁场上下移动，可作为初步位置调整，在利用左右鞍形磁极内部设计可以微量的上下移动，磁极中心可根据熔硅液面实际高度调整，磁极采用真空灌注工艺，使磁材与空气隔绝，隔热，增加了使用寿命，左右顶丝结构可调整磁极间距进而使磁场强度可调提高适用性本发明解决了常规单晶永磁场磁场强度不可调，永磁场无法关闭等问题。
天眼查资料显示，隆基超导（无锡）智能技术有限公司，成立于2024年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3000万人民币，实缴资本711.6万人民币。通过天眼查大数据分析，隆基超导（无锡）智能技术有限公司专利信息3条，此外企业还拥有行政许可1个。
本文源自：金融界
作者：情报员/阅读下一篇/返回网易首页下载网易新闻客户端
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快照生成时间：2025-03-28 05:45:02
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