皖企长鑫科技向上交所递交IPO招股书

大皖新闻讯 2025年12月30日，总部位于合肥的长鑫科技集团股份有限公司（以下简称“长鑫科技”）正式向上海证券交易所递交招股书，拟在科创板挂牌上市。招股书披露，长鑫科技2025年1-9月营收320.84亿元，2022年至2025年9月累计营收达736.36亿元，其中，2022年至2024年主营业务收入复合增长率达72.04%。

聚焦DDR、LPDDR产品 产能居全球第四

招股书显示，长鑫科技是我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业，产能规模稳居中国第一、全球第四。

所谓DRAM，也就是动态随机存储器，是一种半导体存储器，通常被用作主存储器，用于存储运行中的程序和数据。由于动态随机存储器具有较高的密度和较低的成本，因此它被广泛应用于个人电脑、服务器、智能手机和其他计算机系统中。

长鑫科技提供DRAM 晶圆、DRAM 芯片、DRAM 模组等多元化产品方案，其产品主要覆盖DDR、LPDDR两大主流系列，目前已完成从DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的产品覆盖和迭代，产品广泛应用于服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等市场领域。

实现中国大陆DRAM产业“从零到一”的突破

长鑫科技于2019 年9月首次推出自主设计生产的8Gb DDR4 产品，实现了中国大陆DRAM产业“从零到一”的突破。

长鑫科技发布的LPDDR5X产品最高速率达到10667Mbps ，较上一代LPDDR5提升了66%。而其推出的首款国产DDR5产品，速率高达 8000Mbps，单颗最大容量 24Gb ，并同步布局全场景的七大模组，产品性能处于国际领先水平。

招股书中披露，长鑫科技2025年1-9月营收达320.84亿元，2022年至2025年9月累计营收达736.36亿元，2022年至2024年主营业务收入复合增长率达72.04%。

报告期内研发投入超180亿 自主研发成果已应用于量产

业绩的背后是持之以恒的创新驱动。招股书披露，2022年至2025年上半年，长鑫科技累计研发投入为188.67亿元，占累计营业收入的33.11%，其中2024年研发投入63.41亿元，同比2023年增长35.77%。2025年上半年长鑫科技研发费用率达23.71%，超过同期行业平均值10.37%，也明显高于国际DRAM巨头三星电子、SK海力士、美光同期的研发费用率11.74%、7.39%、10.66%。

招股书显示，截至2025年6月30日，长鑫科技共拥有5589项专利，其中3116项境内专利及2473项境外专利。

根据世界知识产权组织统计数据，长鑫科技2023年国际专利申请公开数量排名全球第22位；根据美国权威专利服务机构IFI公布数据，长鑫科技2024年美国专利授权排名全球第42位，在所有上榜的中国企业中排名第四。研发团队方面，长鑫科技拥有4653名研发人员，占公司员工总数的比例超过30%。

目前，长鑫科技核心技术主要为自主研发形成，已大量应用于公司产品的大批量生产中，并通过跳代研发持续加快技术创新。

此次计划募资295亿元

招股书显示，长鑫科技成立于2016年，是中国规模最大、技术最先进、布局最全的动态随机存取存储器（DRAM）研发设计制造一体化企业，采用IDM（垂直整合制造）业务模式。

长鑫科技总部位于合肥，在国内外拥有多个研发中心和分支机构。招股书所披露的长鑫科技股权架构中，大基金二期、安徽省投、阿里、腾讯、招银国际、人保资本、建信金融、国调基金、君联资本、小米产投等均位列其股东行列。

据了解，长鑫科技此次计划募资295亿元，满足公司在DRAM行业进一步提升核心竞争力的需要。未来，长鑫科技将致力于成为技术领先与商业成功的半导体存储公司，以存储科技赋能信息社会，改善人类生活。

大皖新闻记者 项磊 实习生 曹芸

编辑 许大鹏