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high-k材料存在质量问题
SK海力士去年宣布，已成功开发出全球首款集成HKMG工艺的LPDDR5X内存，采用1αnm工艺制造，并开始推向市场。不过近期SK海力士在DRAM生产过程中出现事故，原因在于high-k材料存在质量问题。
据TheElec报道，这起DRAM生产事故的原因是SKTrichem提供的锆（Zr）基high-k材料含有杂质，导致SK海力士DRAM工厂的部分生产设备停止运行。SK海力士表示，由于立即安排了清洁等措施应对，所以事故没有造成生产上的损失。
SK海力士称，正在对SKTrichem造成的设备生产中断和更换零件等情况进行必要的审查，会按照合同条款对SKTrichem要求赔偿。目前SK海力士已暂停从SKTrichem采购材料，直到问题解决为止。
为了应付未来一段时间的生产，SK海力士所需的high-k材料暂时由UPChemical和MChemical供应。其中UPChemical在数年前被国内企业收购了96.28%的股权，这是全球仅有的三家实现半导体存储芯片SOD产品稳定量产供应的半导体材料厂商之一。
SKTrichem表示，这次事故的原因是其提供的high-k材料的纯度有问题，导致某些设备的压力增加，从而出现停产。high-k材料属于前驱体材料，沉积在DRAM电容器的原子水平上，由于电容器直接决定DRAM的性能，因此high-k材料的质量至关重要。目前SKTrichem仍在为SK海力士同一生产线的其他设备提供材料，并计划在本月末向SK海力士恢复供应，提供符合质量要求的产品。
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快照生成时间：2023-02-23 11:45:27
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