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据财联社报道,近日,被称为“终极功率半导体”、使用金刚石的电力控制用半导体的开发取得进展。日本佐贺大学教授嘉数教授与精密零部件制造商日本Orbray合作开发出了用金刚石制成的功率半导体,并以1平方厘米875兆瓦的电力运行。
该功率半导体在已有的金刚石半导体中,输出功率值为全球最高,在所有半导体中也仅次于氮化镓产品的约2090兆瓦。与作为新一代功率半导体的碳化硅(SiC)产品和氮化镓(GaN)产品相比,金刚石半导体耐高电压等性能出色,电力损耗被认为可减少到硅制产品的五万分之一。
金刚石功率半导体的耐热性和抗辐射性也很强,到2050年前后,有望成为人造卫星等所必需的构件。
金刚石材料具备载流子迁移率高、载流子饱和漂移速率大、击穿场强大等特性,是制造大功率、高温、高频器件的理想材料,由于它的带隙宽、热导率高、击穿电场强、极高的电荷迁移率(CVD金刚石的电子迁移率>75000px2/V.s),使得金刚石半导体器件能够在高频、高功率、高电压以及强辐射等十分恶劣的环境中运行,被称为“终极半导体材料”。
了解到,全球天然金刚石年产量约为1.5亿克拉,而人造金刚石产量则超过200亿克拉,其中95%产量来自于中国大陆。
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快照生成时间:2023-01-26 18:45:15
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