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浙江创芯申请半导体结构及形成方法专利，提升相应沟道的阈值电压
类别：财经 发布时间：2024-12-25 11:44:00 来源：瘦子财经
金融界2024年12月25日消息，国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“半导体结构及形成方法”的专利，公开号CN 119170570 A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底的表面形成第一栅极结构和第二栅极结构，所述第一栅极结构在沟道方向上的宽度大于所述第二栅极结构在所述沟道方向上的宽度；在所述第一栅极结构的侧壁形成第一偏移侧墙层，所述第一偏移侧墙层包括第一氧化层；在所述第二栅极结构的侧壁形成第二偏移侧墙层，所述第二偏移侧墙层包括第二氧化层，所述第一氧化层的厚度与所述第二氧化层的厚度不同；由于氧化层中的分凝效应主要影响偏移侧墙层下方的沟道表面，因此通过第一氧化层和第二氧化层的厚度不同，区别化调整第一栅极结构和第二栅极结构底部氧化增强扩散的程度，从而提升相应沟道的阈值电压，具有较广泛的适用范围。
本文源自：金融界
作者：情报员/阅读下一篇/返回网易首页下载网易新闻客户端
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快照生成时间：2024-12-25 14:45:06
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