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碳化硅单晶厚度实现国内新突破

类别:科技 发布时间:2024-06-03 08:16:00 来源:每日看点快看

本文转自:哈尔滨日报(上接第一版)

该批次晶体厚度达到60mm,几乎达到业内主流晶体厚度的3倍,单片成本降低到原来的30%左右,即成本下降幅度达到70%,同时由于单颗晶体的出片率大幅提升,相当于企业盈利能力翻了三倍。

坐落于哈尔滨新区的哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司成立于2018年5月,是一家专注于第三代半导体装备研发、衬底制作、器件设计、科研成果转化的国家级高新技术企业,研发覆盖半导体装备研制、长晶工艺、衬底加工等多个领域,形成自主知识产权,已累计授权专利80余项,实现先进技术自主可控。科友半导体在哈尔滨新区打造产、学、研一体化的第三代半导体产学研聚集区,实现碳化硅材料端从原材料提纯到装备制造、晶体生长、衬底加工等全产业链闭合,致力成为全球第三代半导体关键材料和高端装备主要供应商。

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