美媒分析：“美国正拉下一道‘硅幕’”

参考消息网9月21日报道美国《华尔街日报》网站近日刊发题为《美国如何撞入了用芯片对付中国之路？》的文章，作者是美国约翰斯·霍普金斯大学国际问题高级研究学院教授亨利·法雷尔和美国乔治敦大学外交学院教授亚伯拉罕·纽曼。全文摘编如下：

去年10月，拜登政府采取了一套规模空前的举措：对用于人工智能系统的尖端半导体以及其他产品实施出口管制。新规的限制对象不仅仅是美国公司，任何使用特定美国软件或技术制造产品的厂商都在限制范围内。

评论人士称，美国正在拉下一道“硅幕”。托马斯·弗里德曼等学者过去提到半导体供应链时曾将其作为全球化的典范，认为在这个“平的世界”里，经济上的相互依赖将带来和平与繁荣。而现在，美国已将这种相互依赖武器化。美国的技术就像拖网渔船放出的长线，贯穿了全球整个半导体生产系统，而盟国和对手都在钩子上挣扎。

在目前这个阶段，还很难评估美国新政策的广泛影响。但随着中国对美国作出回应，局势有可能升级。

美国总统国家安全事务助理杰克·沙利文将出口管制系统形容为至关重要的“战略资产”，称它让美国及其盟国能够“让对手付出代价，甚至随着时间推移削弱其作战能力”。

特朗普政府东一榔头西一棒槌地转变了出口管制。现在，拜登团队扩大了外国直接产品规则的使用范围。从特朗普政府针对某家公司的行动开始，拜登政府已将其演变为切断整个国家获取关键技术渠道的运动。

在2019年发表的一篇关于“相互依赖被武器化”的学术论文中，我们曾论述这赋予了美国政府巨大的胁迫和监控权。我们警告过这可能会出问题，但我们做梦也没想到，我们的研究可能助长我们所描绘的现象。

美国历史学家克里斯·米勒最近关于半导体史的著作《芯片战争》描述了特朗普政府一位不愿透露姓名的高级官员是如何看待我们的想法的。用米勒的话说，我们的想法为政府利用半导体生产的“咽喉要道”提供了一个“行动计划”。他们告诉米勒，“将相互依赖武器化是一桩妙事”。

为应对美国的施压，中国现在正加倍努力地推进技术独立的战略。正如欧亚集团高级分析师阿里·怀恩所警告的那样，比相互依赖被武器化更糟糕的可能是相互依赖荡然无存。

其他国家可能会与中国联合起来，或者努力提高自己的技术自给率，因为它们担心自己可能会成为出口管制打击清单上的下一个国家。

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最先进芯片要来了？美科学家成功研发高性能二维半导体晶圆

财联社9月20日讯 今天的半导体行业正在努力应对三重任务：提高计算能力，减小芯片尺寸，并控制好功率。为了满足这些需求，该行业必须找到超越硅性能的替代品，生产适合日益增长的计算设备。

硅最大的缺点之一是它不能做得很薄，因为它的材料特性基本上局限于三维空间。由于这个原因，二维半导体——薄到几乎没有厚度（几乎可以忽略不计），已经成为科学家、工程师和微电子制造商感兴趣的对象。

更薄的芯片组件将对设备中的电流提供更好的控制和精度，同时降低供电所需的能量。二维半导体也有助于将芯片的表面积保持在最小。但直到最近，制造这种材料的尝试都没有成功。

某些二维半导体本身表现良好，但需要相当高的温度来沉积，它们破坏了底层的硅芯片。其他的可以在硅兼容的温度下沉积，但它们的电子特性（能量使用、速度和精度）都不太适合。有些符合温度和性能要求，但在工业标准尺寸下无法达到必要的纯度。

现在，美国宾夕法尼亚大学工程与应用科学学院的研究人员已经将一种高性能的二维半导体制成了全尺寸、工业规模的晶圆。此外，半导体材料硒化铟（InSe）可以在足够低的温度下沉积，从而可以与硅芯片集成。

最新研究结果已于近期发表在了《物质》杂志上。

“半导体制造是一个工业规模的制造过程，”研究人员说，“除非你能在工业规模的晶圆上生产，否则你不会有一种可行的材料。批量生产的芯片越多，价格就越低。但材料也必须是纯净的，以确保性能。这就是硅如此普遍的原因——你可以在不牺牲纯度的情况下大量生产它。”

长期以来，铟硒一直被认为是先进计算芯片的二维材料，因为它的电荷携带能力非常好。但是，生产足够大的铟硒薄膜已经被证明是相当棘手的，因为铟和硒的化学性质倾向于以几种不同的分子比例结合，呈现出每种元素不同比例的化学结构，从而损害了其纯度。

而该团队克服了这些障碍。研究人员表示，“对于先进的计算技术而言，二维铟硒的化学结构需要恰好是两种元素之间的50:50。所得到的材料需要在大面积条件下具有均匀的化学结构才能起作用。”

除了化学纯度外，该团队还能够控制和调整材料中晶体的方向，通过为电子传输提供无缝环境，进一步提高半导体的质量。

“半导体材料的两个最重要的品质是化学纯度和晶体秩序，最重要的工业品质是可扩展性。而这种材料符合所有条件。”他们说。