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杨建：碳化硅晶片的“换道超车”
本文转自：玉林日报
5月24日，在中国科学院物理研究所陈小龙研究员办公室，杨建（右）和陈小龙讨论下一步研发方向。
在天科合达位于北京大兴的公司总部车间，杨建（左）和同事在车间一起检查产品质量（1月24日摄）。
2006年，杨建作为创业团队带头人，和中国科学院物理研究所研究团队紧密合作，创立了天科合达，在国内率先从事第三代半导体碳化硅单晶衬底及相关产品的研发、生产和销售。
在过去的18年里，通过自主研发和技术积累，天科合达已形成拥有自主知识产权的碳化硅单晶生长炉制造、原料合成、晶体生长、晶体切割、晶片加工、清洗检测和外延片制备等七大关键核心技术体系，覆盖碳化硅材料生产全流程，形成一个研发中心、三家全资子公司和一家控股子公司的规模化业务布局。
碳化硅晶片是制造耐高压、耐高温、高频、低能耗半导体器件的理想材料，是国家新一代信息技术核心竞争力的重要支撑。
杨建现任天科合达总经理，他告诉记者，我国在碳化硅晶片领域已经实现“换道超车”。目前，天科合达的产品实现了对国内外客户的全方位供应，成为全球碳化硅晶片的主要供应商之一。
今年5月，北京天科合达半导体股份有限公司获得全国五一劳动奖状。杨建从一个创业者已经成长为碳化硅晶片领域的专家。
（新华社记者 金立旺 摄）
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快照生成时间：2024-06-09 17:45:04
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