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9月18日消息,根据行业人士@手机晶片达人爆料,英伟达已经跟三星就3nmGAA工艺制程进行了接洽,如果一切顺利则预定在2025年进行量产。
Hardwaretimes此前也曾有过报道,下一代英伟达旗舰显卡RTX5090将使用3nm工艺,预计将在明年年底推出。
英伟达RTX40系显卡代号为AdaLovelace,而下一代RTX显卡的代号为Blackwell,其晶体管数量将超过150亿,密度接近3亿/mm²,核心时钟将超过3Ghz,总线密度将达到512bits。
根据早前外媒Club386泄露的消息,基于GB102的RTX5090包含144组SM单元,也就是18432个CUDA(假设每组SM还是128个CUDA),比RTX4090多出12.5%,96MB二级缓存,匹配GDDR7显存(384bit位宽),支持PCIe5.0x16。
IT之家曾报道,微星此前在台北Computex电脑展上也一并展示了下一代英伟达RTX旗舰显卡的散热设计。
由图可见,微星使用了动态双金属鳍片(DynamicBimetallicFin),六条贯穿式纯铜热管、大面积铝质鳍片中也嵌入了铜片,进一步增强散热,而显存区域也有对应的铜片,这说明不出意外的话下一代显卡将针对散热进行着重设计。
▲图源Club386
▲图源Club386
结合当下所曝光的信息,结合如此散热条件,RTX5090的原始功耗和发热应该会给人留下深刻的印象。
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快照生成时间:2023-09-18 19:45:03
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