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忆联发布了数据中心级NVMeSSD——UH711a以及UH711aE3.S形态。该系列产品使用自研控制器与长江存储128L3DNAND,专为数据中心级业务场景而设计。其中,UH711a单盘容量最高达7.68TB。

忆联表示,UH711a支持PCIEGen4接口,针对数据中心级业务场景及负载WorkloadIO模型,在各类场景可提供全面的性能优化能力,产品顺序读写性能达7200/4500MB/s,随机读写性能达1700/230KIOPS。同时,针对互联网典型应用场景,UH711a 采用软化架构设计,并优化IO路径DB、FSP、HAS和LDPC等硬件资源配置,提升后端NAND颗粒并发效率,保障互联网典型应用场景盘片性能。
据介绍,UH711a通过 SR-IOV技术优化云业务虚拟机场景。SR-IOV2.0进一步优化了Nand物理层隔离度,VF间的性能隔离度更好,随着隔离度的提高在纯读写及混合场景下分别优化到了3%和5%,目前忆联SR-IOV性能及隔离度已达业界第一。
这款产品采用全新K-mean智能聚类算法,提供更精细的数据类型识别颗粒度,进一步提高GC时的效率,使SSD系统性能最大可提升20%。通过在盘片内部将2种数据写入不同的流,降低盘片的写放大系数,提升全生命周期的稳态性能以及保障产品生命周期后期阶段的可靠性。此外,UH711a 还支持DIF、NS管理等OCP2.0规范,不仅与系统配合实现端到端的保护,也能在盘内实现独立的端到端的保护机制。
此外,忆联称依托公司自主封测技术,UH711a通过使能自封TLC介质,在不牺牲性能及可靠性的前提下大幅度降低介质应用成本,挖掘介质的原生潜力,提供更好的IO性能。
忆联还推出了UH711aE3.S形态,长112.75mm、宽76mm、厚度为7.5mm,单盘容量最高达15.36TB,支持NVMe1.4。使用新形态后,产品顺序读写性能高达7200/4400MB/s,随机读写性能高达1700/240KIOPS。该系列产品将于2023年实现量产。
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快照生成时间:2022-12-27 12:45:07
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