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浙江创芯申请半导体结构及其形成方法专利，利于抑制多晶耗尽效应
金融界2025年1月25日消息，国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN 119342882 A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：采用第一低压化学气相沉积工艺，在衬底表面形成第一初始栅材料层，第一初始栅材料层的材料为多晶硅；采用第二低压化学气相沉积工艺，在第一初始栅材料层表面形成第二初始栅材料层，第二初始栅材料层的材料为多晶硅，第二初始栅材料层的晶粒尺寸大于第一初始栅材料层的晶粒尺寸，栅极材料层包括第一初始栅材料层和第二初始栅材料层；采用离子注入工艺向栅极材料层内注入掺杂离子，第一初始栅材料层内具有第一掺杂浓度，第二初始栅材料层内具有第二掺杂浓度；对栅极材料层进行退火处理，以降低栅极材料层内的缺陷，且使第一掺杂浓度大于第二掺杂浓度，利于抑制多晶耗尽效应。
天眼查资料显示，浙江创芯集成电路有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本182000万人民币，实缴资本134000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江创芯集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目246次，知识产权方面有商标信息14条，专利信息182条，此外企业还拥有行政许可4个。
本文源自：金融界
作者：情报员/阅读下一篇/返回网易首页下载网易新闻客户端
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快照生成时间：2025-01-25 17:45:07
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