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微电子研究所研究1t1c-dram面临微缩瓶颈
1月10日消息，据中科院微电子研究所消息，随着尺寸的不断微缩，1T1C结构动态随机存储器（DRAM）的存储电容限制问题愈发显著，导致传统1T1C-DRAM面临微缩瓶颈。基于铟镓锌氧（IGZO）晶体管的2T0C-DRAM有望突破1T1C-DRAM的微缩瓶颈，在3DDRAM方面发挥更大的优势。
但目前的研究工作都基于平面结构的IGZO器件，形成的2T0C单元尺寸（大约20F2）比相同特征尺寸下的1T1C单元尺寸（6F2）大很多，使IGZO-DRAM缺少密度优势。
针对平面结构IGZO-DRAM的密度问题，微电子所微电子重点实验室刘明院士团队在垂直环形沟道结构（Channel-All-Around,CAA）IGZOFET的基础上，研究了第二层器件堆叠前层间介质层工艺的影响，验证了CAAIGZOFET在2T0CDARM应用中的可靠性。
▲ CAAIGZOFET的截面电镜图及转移输出曲线
经过优化后的IGZOFET表现出优秀的可靠性，经过10000秒栅极偏压应力稳定性测试后（包括正偏压与负偏压条件），阈值电压漂移小于25mV，进行1012 次写入擦除操作后没有表现出性能劣化。该研究成果有助于推动实现4F2 IGZO2T0C-DRAM单元。
▲ CAAIGZOFET的可靠性测试结果
基于该成果的文章“Inter-LayerDielectricEngineeringforMonolithicStacking 4F2-2T0CDRAMwithChannel-All-Around(CAA)IGZOFETtoAchieveGoodReliability(>104sBiasStress,>1012 CyclesEndurance)”入选 2022IEDM。微电子所硕士生陈传科为第一作者，微电子所李泠研究员、耿玓副研究员为通讯作者。
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快照生成时间：2023-01-10 16:45:06
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