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11月19日消息,据国外媒体报道称,英伟达RTX50系列显卡所采用的GB200系列GPU将采用台积电3nm工艺。
从曝光的最新细节看,代号为GB202的旗舰产品RTX5090的CUDA内核增加50%,总数达到24576个。这比基于图灵的RTX2080的内核多出8倍多。
此外,旗舰新卡的内存带宽也将通过使用32GbpsGDDR7提升52%,高于当前RTX4090的GDDR6X。
时钟速度预计将提高15%,这是最大的升级之一。这将使RTX5090的频率提升到2.9GHz,在游戏工作负载中轻松超过3GHz。现有RTX4090的最高频率为2.52GHz。
为了进一步提升性能,NVIDIA计划将二级缓存增加两倍,达到128MB,远远超过AMDRX7900XTX上的96MB。这种额外的缓存旨在最大限度地利用GDDR7带来的更高内存带宽。
如果NVIDIA能够实现这些雄心勃勃的目标,那么仅从规格上看,RTX5090的性能将比RTX4090高出70%以上。
面对4090的下架,5090还会在中国发售吗?
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快照生成时间:2023-11-19 23:45:06
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