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联电推出首款rfsoi3dic解决方案
类别：科技 发布时间：2024-05-03 08:59:00 来源：浅语科技
5月2日消息，联华电子（UMC）今日宣布推出业界首款RFSOI制程技术的3DIC解决方案，在55nmRFSOI制程平台上使用硅晶元堆叠技术，在不损耗射频性能的前提下，可将芯片尺寸缩小45%以上。
联电表示，RFSOI是用于低噪声放大器、开关和天线调谐器等射频芯片的晶圆制程，其RFSOI3DIC解方案，利用晶圆对晶圆的键合技术，并解决了芯片堆叠时常见的射频干扰问题，将装置中传输和接收资料的关键组件，透过垂直堆叠芯片来减少面积，准备投入量产。
联电称未来将持续开发如5G毫米波芯片堆叠技术的解决方案。
此前报道，消息称联电斩获威讯的3DIC外包订单，为即将推出的iPhone16系列的天线模块生产关键芯片，据悉产量将达到数万片。
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快照生成时间：2024-05-03 15:45:11
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