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SK 海力士公告第 8 代 3D NAND
类别：科技 发布时间：2023-03-18 12:38:00 来源：浅语科技
SK海力士（SKHynix）近日宣布第八代3DNAND的详细信息，堆叠层数超过300层，预估将于2024年年底或者2025年年初上市发售。
从SK海力士官方公告中获悉，第8代3DNAND堆叠成熟超过300层，容量为1Tb（128GB），具有三级单元和超过20Gb/mm^2的位密度（bitdensity）。
该芯片的页容量（pagesize）为16KB，拥有4个planes，接口传输速度为2400MT/s，最高吞吐量为194MB/s（比第7代238层3DNAND快18%）。
新NAND的位密度增加近一倍，意味着将显着提高新制造节点的每晶圆生产率，也将降低SK海力士的成本，只是尚不清楚具体程度。
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快照生成时间：2023-03-18 15:45:13
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