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SK 海力士公告第 8 代 3D NAND

类别:科技 发布时间:2023-03-18 12:38:00 来源:浅语科技

SK海力士(SKHynix)近日宣布第八代3DNAND的详细信息,堆叠层数超过300层,预估将于2024年年底或者2025年年初上市发售。

SK 海力士公告第 8 代 3D NAND

从SK海力士官方公告中获悉,第8代3DNAND堆叠成熟超过300层,容量为1Tb(128GB),具有三级单元和超过20Gb/mm^2的位密度(bitdensity)。

SK 海力士公告第 8 代 3D NAND

该芯片的页容量(pagesize)为16KB,拥有4个planes,接口传输速度为2400MT/s,最高吞吐量为194MB/s(比第7代238层3DNAND快18%)。

新NAND的位密度增加近一倍,意味着将显着提高新制造节点的每晶圆生产率,也将降低SK海力士的成本,只是尚不清楚具体程度。

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快照生成时间:2023-03-18 15:45:13

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信息原文地址:

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