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武汉英弗耐斯申请种负压保护电路专利，避免 NMOS 管被击穿
金融界 2025 年 4 月 10 日消息，国家知识产权局信息显示，武汉英弗耐斯电子科技有限公司申请一项名为“种负压保护电路”的专利，公开号 CN 119787278 A ，申请日期为 2024 年 12 月。
专利摘要显示，本发明提供了一种负压保护电路，该负压保护电路包括电压钳位模块，电压钳位模块设置于 NMOS 管的栅极端与漏极端之间，用于在关断 NMOS 管时，将 NMOS 管的漏极端与源极端之间的电压钳位至保护阈值电压，进而所述 NMOS 管的漏极端与源极端之间的电压能够被钳位在一个安全范围内，避免了 NMOS 管由于其源极端与漏极端之间的电流过大而被击穿的问题。在此过程中，为感性负载供电的电源电压、NMOS 管以及感性负载形成了一条退磁通路，从而感性负载能够更快地退磁。在此基础上，由于电压钳位模块的保护阈值电压与电压钳位模块的温度负相关，因此，当 NMOS 管在退磁期间过热时，NMOS 管的漏极端与源极端之间的电压会降低，由此 NMOS 管在退磁时不会产生热失效。
天眼查资料显示，武汉英弗耐斯电子科技有限公司，成立于2017年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币，实缴资本849万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉英弗耐斯电子科技有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目1次，专利信息18条，此外企业还拥有行政许可3个。
本文源自：金融界
作者：情报员/阅读下一篇/返回网易首页下载网易新闻客户端
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快照生成时间：2025-04-10 23:45:05
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