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技术持续升级 产品不断放量 士兰微股价一个月涨逾四成
周四，半导体板块延续强势，继周三大涨3.83%后，半导体板块再度上涨0.82%。受到板块走强带动，士兰微（600460）1日午后放量上冲直至涨停。14时37分左右，有部分获利盘涌出，该股涨停板被打开，随后股价展开强势震荡。截至收盘，该股上涨7.94%，报收23.26元/股，成交额为28.6亿元，换手7.56%。记者注意到，士兰微股价在7月3日最低探至16.32元/股，随后震荡走高，该股1日盘中最高摸至23.71元/股，一个月左右时间，该股累计涨幅达45.28%。
资料显示，士兰微的主营业务是电子元器件的研发、生产和销售，产品主要有集成电路、分立器件、发光二极管等。2023年，公司超结MOSFET（超结结型场效应晶体管）、IGBT（绝缘栅双极型晶体管）器件、IGBT大功率模块（PIM）等产品增长较快，在IGBT、SiC（碳化硅）等产品研发上取得进展。汽车领域，公司自主研发的V代IGBT和FRD（快恢复二极管）芯片的电动汽车主电机驱动模块，已在国内外多家客户实现批量供货。家电及工业领域，公司IPM模块持续向相关客户的各类变频产品渗透。值得一提的是，2023年，国内多家主流的白电整机厂商在变频空调等白电整机上使用了超过1亿颗士兰IPM模块，较上年同期增加38%。
记者注意到，2024年一季度，公司车规级PIM功率模块、IGBT器件、SiC-MOS器件等产品出货量大幅增长，公司毛利率为22.10%，环比增长3.18个百分点。公司日前披露了中报业绩预告，预计上半年实现净利润-3000万元至-2000万元，同比减少亏损1122万元至2122万元；扣非后的净利润为12189万元到13189万元。
长城证券分析师邹兰兰认为：“从技术上看，截至2023年底，公司已完成V代IGBT和FRD芯片的技术升级，性能明显提升，应用于新一代的降本模块和高性能模块，已送用户评测。公司还完成了多个电压平台的RC-IGBT产品的研发，今后将在汽车主驱、储能、风电、IPM模块等领域中推广使用。公司还完成第Ⅲ代平面栅SiC-MOSFET技术的开发，性能指标达到业内同类器件结构的先进水平。”长城证券预计公司2024年至2026年净利润分别为3.09亿元、5.22亿元、7.15亿元，维持“增持”的投资评级。
对于士兰微未来的看点，华鑫证券一分析师表示，士兰微正加快推进“士兰明镓SiC功率器件芯片生产线”项目的建设。截至目前，士兰明镓已形成月产6000片6吋SiC-MOS芯片的生产能力，预计今年年底将形成月产12000片6吋SiC-MOS芯片的生产能力。2024年，成都士兰公司将增加生产设备投入，进一步扩大汽车级和工业级功率模块的封装能力。截至2023年年底，士兰集科已具备月产2.5万片IGBT芯片的生产能力，士兰集科今年将加快车规级IGBT、MOSFET等功率芯片产能释放，并加大车规级模拟集成电路芯片工艺平台的建设投入，从而改善盈利水平。记者 汤晓飞
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快照生成时间：2024-08-02 05:45:02
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