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三星存内计算技术公布：全球首搭mram，铺路下一代ai芯片
12月28日消息，众所周知，目前计算机常见的冯・诺依曼架构包括存储单元和计算单元两部分，计算机需要将数据在存储单元和计算单元之间迁移，如果内存速度跟不上CPU计算速度，就可能出现“内存墙”的情况。
而近两年兴起的存内计算就是将计算单元嵌入到内存中，可有效克服冯・诺依曼架构瓶颈。该技术最早在上世纪60年代就提出了，但一直没有商业化，三星等大厂目前都在研究该方案。
《三星存内计算技术公布：全球首搭MRAM，铺路下一代AI芯片》
据存算一体芯片公司知存科技消息，2022年3月，知存科技量产的国际首颗存内计算SoC芯片WTM2101正式投入市场。距今未满1年，WTM2101已成功在端侧实现商用，提供语音、视频等AI处理方案并帮助产品实现10倍以上的能效提升。
▲图源知存科技
此外，知存科技2023、2024年将推出WTM-8系列产品，算力对比现在提升500到600倍；2025年前后将推出WTM-C系列产品，可以用于边缘服务器等。随着集成规模、工艺等方面的技术推进，未来几年存内计算产品预计平均每年都有5~10倍算力的提升。
▲ 图源知存科技
企业官网显示，知存科技创立于2017年，专注存内计算芯片领域，创新使用Flash存储器完成神经网络的储存和运算，解决AI的存储墙问题，提高运算效率，降低成本。
研发团队由王绍迪博士与郭昕婕博士联合多位学者、产业从业者组建，平均拥有10年以上产业工作经验，是比肩国际水平的存算一体及芯片技术团队。
▲ WTM2101芯片
公司旗下WTM2101芯片适配低功耗AIoT应用，可使用微瓦到毫瓦级功耗完成大规模深度学习运算，特别适合可穿戴设备中的智能语音和智能健康服务，已完成批量生产和市场应用。WTM8系列芯片面向4-32Tops算力产品，应用于4K-8K视频的实时处理。
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快照生成时间：2022-12-29 17:45:07
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