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三星存内计算技术公布:全球首搭mram,铺路下一代ai芯片

类别:科技 发布时间:2022-12-29 15:28:00 来源:浅语科技

12月28日消息,众所周知,目前计算机常见的冯・诺依曼架构包括存储单元和计算单元两部分,计算机需要将数据在存储单元和计算单元之间迁移,如果内存速度跟不上CPU计算速度,就可能出现“内存墙”的情况。

而近两年兴起的存内计算就是将计算单元嵌入到内存中,可有效克服冯・诺依曼架构瓶颈。该技术最早在上世纪60年代就提出了,但一直没有商业化,三星等大厂目前都在研究该方案。

《三星存内计算技术公布:全球首搭MRAM,铺路下一代AI芯片》

据存算一体芯片公司知存科技消息,2022年3月,知存科技量产的国际首颗存内计算SoC芯片WTM2101正式投入市场。距今未满1年,WTM2101已成功在端侧实现商用,提供语音、视频等AI处理方案并帮助产品实现10倍以上的能效提升。

三星存内计算技术公布:全球首搭mram,铺路下一代ai芯片

▲图源知存科技

此外,知存科技2023、2024年将推出WTM-8系列产品,算力对比现在提升500到600倍;2025年前后将推出WTM-C系列产品,可以用于边缘服务器等。随着集成规模、工艺等方面的技术推进,未来几年存内计算产品预计平均每年都有5~10倍算力的提升。

三星存内计算技术公布:全球首搭mram,铺路下一代ai芯片

▲ 图源知存科技

企业官网显示,知存科技创立于2017年,专注存内计算芯片领域,创新使用Flash存储器完成神经网络的储存和运算,解决AI的存储墙问题,提高运算效率,降低成本。

研发团队由王绍迪博士与郭昕婕博士联合多位学者、产业从业者组建,平均拥有10年以上产业工作经验,是比肩国际水平的存算一体及芯片技术团队。

三星存内计算技术公布:全球首搭mram,铺路下一代ai芯片

▲ WTM2101芯片

公司旗下WTM2101芯片适配低功耗AIoT应用,可使用微瓦到毫瓦级功耗完成大规模深度学习运算,特别适合可穿戴设备中的智能语音和智能健康服务,已完成批量生产和市场应用。WTM8系列芯片面向4-32Tops算力产品,应用于4K-8K视频的实时处理。

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快照生成时间:2022-12-29 17:45:07

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信息原文地址:

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