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中微半导体申请等离子体工艺方法及设备专利，保证刻蚀结构的形貌一致性
金融界2025年5月2日消息，国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“一种等离子体工艺方法及等离子体处理设备”的专利，公开号CN119905396A，申请日期为2023年10月。
专利摘要显示，本发明提供了一种等离子体工艺方法及等离子体处理设备，属于等离子体处理领域，为了保证刻蚀结构的形貌一致性，具体包括通入反应气体，将基片放入反应腔，激发等离子体后执行基片刻蚀工艺，并将刻蚀工艺随着刻蚀深度的推进设为不同的处理阶段，每一处理阶段都包括刻蚀步骤和修饰步骤，刻蚀步骤用于推进刻蚀深度，修饰步骤用于修整刻蚀结构的侧壁形貌，随着刻蚀深度的加深，逐渐提高各步骤的基片温度，通过该工艺方法及应用该工艺方法的设备，在进行深孔刻蚀时，能够保证良好的上下特征尺寸一致性。
天眼查资料显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司，成立于2004年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本62236.3735万人民币。通过天眼查大数据分析，中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了27家企业，参与招投标项目64次，财产线索方面有商标信息75条，专利信息1497条，此外企业还拥有行政许可71个。
本文源自：金融界
作者：情报员/阅读下一篇/返回网易首页下载网易新闻客户端
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快照生成时间：2025-05-02 20:45:04
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