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旭矽半导体和龙腾半导体取得沟槽型MOSFET器件专利

类别:财经 发布时间:2025-01-11 19:11:00 来源:瘦子财经

金融界2025年1月11日消息,国家知识产权局信息显示,旭矽半导体(上海)有限公司和龙腾半导体股份有限公司取得一项名为“沟槽型MOSFET器件”的专利,授权公告号 CN 114122130 B,申请日期为2020年8月。

天眼查资料显示,旭矽半导体(上海)有限公司,成立于2018年,位于上海市,是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本500万人民币,实缴资本500万人民币。通过天眼查大数据分析,旭矽半导体(上海)有限公司专利信息18条,此外企业还拥有行政许可1个。

本文源自:金融界

作者:情报员/阅读下一篇/返回网易首页下载网易新闻客户端

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快照生成时间:2025-01-11 20:45:01

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