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旭矽半导体和龙腾半导体取得沟槽型MOSFET器件专利
类别：财经 发布时间：2025-01-11 19:11:00 来源：瘦子财经
金融界2025年1月11日消息，国家知识产权局信息显示，旭矽半导体（上海）有限公司和龙腾半导体股份有限公司取得一项名为“沟槽型MOSFET器件”的专利，授权公告号 CN 114122130 B，申请日期为2020年8月。
天眼查资料显示，旭矽半导体（上海）有限公司，成立于2018年，位于上海市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本500万人民币，实缴资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，旭矽半导体（上海）有限公司专利信息18条，此外企业还拥有行政许可1个。
本文源自：金融界
作者：情报员/阅读下一篇/返回网易首页下载网易新闻客户端
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快照生成时间：2025-01-11 20:45:01
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