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上海陛通申请调控晶圆翘曲度方法专利，有助于提高生产良率
金融界2025年5月24日消息，国家知识产权局信息显示，上海陛通半导体能源科技股份有限公司申请一项名为“晶圆及调控晶圆翘曲度的方法”的专利，公开号CN120033067A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明提供一种晶圆及调控晶圆翘曲度的方法。方法包括：于晶圆的表面形成具有第一方向应力的第一膜层，于第一膜层表面形成具有第二方向应力的第二膜层以及形成具有第一方向应力的第三膜层，第一方向应力为拉应力且第二方向应力为压应力，或第一方向应力为压应力且第二方向应力为拉应力，第二膜层和第三膜层在纵向上至少部分不重叠，第二膜层包括交替形成的具有拉应力的氮化硅膜和起缓冲作用的氧化硅膜。本发明可调节晶圆在不同方向的翘曲度，有助于提高生产良率。本发明调控晶圆不同区域的膜厚而无需刻蚀去除既已形成的薄膜，整个工艺过程可都在沉积设备上完成，有助于缩短工艺时间，降低生产成本。采用本发明的晶圆，有助于提高生产良率。
天眼查资料显示，上海陛通半导体能源科技股份有限公司，成立于2008年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5344.808万人民币。通过天眼查大数据分析，上海陛通半导体能源科技股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目21次，财产线索方面有商标信息135条，专利信息194条，此外企业还拥有行政许可20个。
本文源自金融界/阅读下一篇/返回网易首页下载网易新闻客户端
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快照生成时间：2025-05-24 23:45:04
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