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江波龙自研芯片新进展:NAND Flash技术迈入2xnm新时代

类别:科技 发布时间:2024-08-28 16:01:00 来源:浅语科技

快科技8月28日消息,江波龙携旗下行业类存储品牌FORESEE亮相ELEXCON2024深圳国际电子展,展示其在存储领域的最新技术成果。

在此次展会上,江波龙首款2xnm SLC NAND Flash自研芯片产品首次亮相,再次体现了江波龙在技术创新之路的攀升;汽车电子、消费电子、智能穿戴和AI服务器四大主流市场的存储解决方案同台,呈现了江波龙在不同应用的产品硬实力。

江波龙自研芯片新进展:NAND Flash技术迈入2xnm新时代

2xnm SLC NAND Flash采用2xnm先进制程工艺,支持DTR模式,不仅实现了业界领先的166MHz工作频率,而且在电路设计上进行了创新,有效降低了噪声干扰,实现数据的快速读写。

在性能及容量不断提升的同时,各应用场景对于可靠性和微型化的要求并未降低,工程师团队针对不同SoC方案,通过高精度电路和改进的读写算法,集成了具有更强纠错能力的片上ECC引擎。同时,产品支持-40~85℃和-40~105℃的宽温工作环境,确保在极端环境下也能稳定运行。

江波龙自研芯片新进展:NAND Flash技术迈入2xnm新时代

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同时江波龙带来AI服务器存储产品矩阵,FORESEE CXL 2.0内存拓展模块基于DDR5 DRAM开发,支持PCIe 5.0 x 8接口,理论带宽高达32GB/s,提供64GB、128GB、192GB多种容量选择,可与支持CXL规范及E3.S接口的背板和服务器主板实现无缝连接,并整体降低系统TCO及减少内存资源闲置,大幅提高内存利用率,从而有效拓展服务器的内存容量并提升带宽性能,是AI服务器高性能计算的优选存储方案。

江波龙自研芯片新进展:NAND Flash技术迈入2xnm新时代

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企业级SSD方面,公司带来了FORESEE ORCA 4836 系列企业级 NVMe SSD、FORESEE UNCIA 3836 系列企业级 SATA SSD产品。

两款产品均已实现批量量产出货,广泛应用于通信运营商、金融、互联网等多个行业领域,终端客户包含京东云、联想、BiliBili等知名企业。

企业级RDIMM则包含DDR5和DDR4两代产品,容量涵盖32GB、64GB和96GB,具备超低的失效率和数据错误率,为云计算、分布式存储、边缘计算等企业级应用场景提供有力支持。eSSD+RDIMM+CXL,江波龙已形成企业级存储的完整布局。

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此外,FORESEE车规级LPDDR4x为智能汽车提供稳定可靠的运行内存解决方案,拥有16Gb和32Gb的容量选项,以及4266Mbps的传输速率。产品能在-40℃~105℃的宽温度范围内工作,确保智能座舱、ADAS(高级辅助驾驶系统)和车联网系统的流畅运行。

江波龙自研芯片新进展:NAND Flash技术迈入2xnm新时代

在智能汽车存储产品领域,江波龙还展示了全系列符合汽车行业严苛可靠性标准的存储解决方案。这包括符合AEC-Q100可靠性验证的车规级SPI NAND Flash、车规级LPDDR4x、车规级UFS和车规级eMMC等产品。除此之外,江波龙也带来了工规级DDR3L、工业宽温级SD/microSD、工规级SSD和S435车载监控SATA SSD等产品,它们均通过了多项严格的可靠性测试,确保在极端环境下的稳定运行。江波龙已构建起全面的汽车存储产品矩阵,满足不同智能汽车应用场景的需求。

江波龙自研芯片新进展:NAND Flash技术迈入2xnm新时代

FORESEE QLC eMMC基于江波龙自研主控,采用独特的QLC算法进行开发,最大提供512GB的存储容量,并已具备了实现1TB更大容量的技术能力,结合江波龙领先的自研固件,在原有的性能基础上,为嵌入式智能设备降本扩容。

江波龙自研芯片新进展:NAND Flash技术迈入2xnm新时代

AI PC存储FORESEE LPCAMM2搭载了最新的LPDDR5/5x颗粒,可兼容315ball和496ball设计,支持高达7500MT/s及以上的频率,以及16GB、32GB、64GB多种选择,满足不同场景下对内存性能和容量的多样化需求。

面向消费电子市场,江波龙还展出了UFS、LPDDR5、商用级DDR5 DIMM等高性能存储产品,满足手机、PC等消费电子对性能和容量的需求。

江波龙自研芯片新进展:NAND Flash技术迈入2xnm新时代

智能穿戴小体积存储FORESEE ePOP4x产品集成eMMC和LPDDR4x,将Flash与DRAM二合一,可提供32GB+16Gb、64GB+16Gb市场主流容量组合,并在智能穿戴设备中能够实现快速启动、超低功耗及主控SoC调优等多种功能,兼顾性能和续航表现。

此外,产品尺寸更小、厚度更薄,并且采用在主芯片上 (package on package) 贴片的封装方式,大幅度节省PCB占用空间,为尺寸受限的智能穿戴应用场景开发提供了更优的嵌入式存储方案。

江波龙自研芯片新进展:NAND Flash技术迈入2xnm新时代

江波龙针对智能穿戴设备的轻薄和低功耗需求,展出了Subsize eMMC、nMCP、EPLUS系列SD/microSD等存储产品。产品片采用先进的高层数堆叠、多芯片堆叠封装工艺和测试流程,实现了极小的体积,可适应不同PCB空间,为穿戴设备内部结构设计提供灵活的选择,广泛应用于智能手表、AR/VR等穿戴设备。

江波龙自研芯片新进展:NAND Flash技术迈入2xnm新时代

江波龙还具有全栈定制能力,提供芯级待遇,PTM商业模式的核心在于将公司的自研存储芯片、自研固件和硬件以及自有的先进封测制造等技术优势进行无缝衔接,实现更灵活、高效的全栈式定制化服务和一站式交付。

在本次展会上,江波龙全面展示了其PTM商业模式下的综合服务能力。

一方面,公司带来了自主研发的高性能eMMC 5.1控制器芯片、SD 6.1控制器芯片和SLC NAND Flash芯片,为客户提供“芯级的服务待遇”。

另一方面,公司分享了其在国内、海外的全球产业供应链布局,包括苏州和南美洲封测制造基地的多样化封装制程工艺和高端封测设备,以及全方位的测试、生产制造流程,保障全球客户的供应和交付。

其中,江波龙现场重点演示了其全程可追溯的数字化管理系统,该系统通过实时数据分析和防呆管控,为工艺站点提供了强有力的质量保障,实现了生产过程的透明化和可追溯性。

江波龙自研芯片新进展:NAND Flash技术迈入2xnm新时代

从标准化迈向定制化,通过整合存储主控、Flash芯片设计、固件定制开发、高端封测技术、售后服务、品牌及知识产权等多方面能力,江波龙已为TCM(技术合约制造)和PTM(存储产品技术制造)双商业模式合作提供了坚实的基础和保障,进而为客户带来全栈式高端定制化的存储产品服务及一站式交付,满足市场的差异化需求。

江波龙自研芯片新进展:NAND Flash技术迈入2xnm新时代

值得一提的是,江波龙在本次展会特别推出了FORESEE品牌的2xnm SLC NAND Flash新品,备受瞩目。除此之外,公司还展示了包括嵌入式存储、移动存储、SSD、内存条在内的四大产品线前沿存储产品。

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责任编辑:鹿角

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